级多晶硅提纯技术现状与质量分析(ppt 31页)

级多晶硅提纯技术现状与质量分析目录：
一、 冶金法简介
二、 冶金法的进展
三、 太阳能级多晶硅的杂质及其对材料性能的影响
四、 冶金法多晶硅的质量稳定性分析

 

级多晶硅提纯技术现状与质量分析内容提要：
太阳能所需要的多晶硅纯度：
Poly silicon with purity higher than 7N could not be made into solar cell directly
 7N以上的多晶硅无法用来直接作太阳能电池
B or P must be mixed as dopant 须掺入硼或磷
The dopant of B must be about 0.25ppm
 对太阳能来说，硼的掺杂浓度大约在0.25ppmw
    i.e., for solar cell, the purity must down to 6N even using a 11N poly-silicon
    也就是说，在生产太阳能电池时，即便采用11N的高纯硅，也必须掺杂降到6N左右。
新工艺的需求：
Because impurities must added to high pure poly-silicon from Siemens method, which means energy double waste采用西门子法得出高纯度的硅后，又要掺杂到6N的纯度，意味着能源的双重浪费
That’s why the technology of purifying silicon directly to 6N is being explored all the time 直接生产6N太阳能多晶硅的工艺开始被人们所探索。
Metallurgical Routine to purify the poly silicon is the  most promising routine
     冶金法是被人探索最多，也是目前最被人看好的工艺。

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