微米侧壁干法刻蚀工艺的开发与优化(PDF 69页）

摘要1
ABSTRACl-⋯⋯2
第一章前言3
§11课题背景一半导体制造业的发展⋯⋯⋯⋯3
§12研究目的一开发并优化新工艺的意义⋯⋯5
§13论文结构6
第二章干法刻蚀回顾7
§21干法刻蚀原理⋯⋯7
§22侧壁(Spacer)在工艺流程中的作用⋯⋯15
第三章半导体中实验设计(DOE)方法⋯⋯16
§31实验设计(DOE)的原理和方法⋯⋯⋯⋯16
§32实验检测工具和分析工具⋯⋯16
第四章O18微米侧壁(Spacer)刻蚀工艺的开发和优化⋯⋯19
§41 O18微米侧壁(Spacer)工艺概述⋯⋯⋯⋯19
§42 018微米侧壁(Spacer)现有工艺存在的问题⋯⋯⋯19
§43在DPS Plus设备上的工艺优化22
§431使用新工艺气体SF6进行工艺开发22
§432改变硅片背面氦气压力进行工艺优化⋯⋯⋯⋯～38
§433改变工艺气体CF4的组成进行工艺优化⋯⋯⋯42
第五章结论⋯⋯⋯⋯63
参考文献⋯66
致谢⋯⋯67
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