集成电路工艺原理培训教材(PPT 43页)

第一章前言
第二章晶体生长
第三章实验室净化及硅片清洗
第四章光刻
第五章热氧化
第六章热扩散
第七章离子注入
第八章薄膜淀积
第九章刻蚀
第十章后端工艺与集成
第十一章未来趋势与挑战
点接触晶体管：基片是N型锗，发射极和集电极是两根金属丝。
这两根金属丝尖端很细，靠得很近地压在基片上。金属丝间的距离：~50μm
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