IC集成技术中的工艺模块教材(PPT 92页)

IC集成技术中的工艺模块
IC集成中的器件形成与互连
IC集成中的器件隔离
双极IC中的器件隔离
PN结隔离的双极晶体管
SBC结构 vs. CDI结构 vs. 3D结构
双极集成电路典型工艺的集成/1
衬底材料选择的考虑
双极集成电路典型工艺的集成/2
双极集成电路典型工艺的集成/3
PN结隔离的实现― P+隔离扩散
PN结隔离
PN结隔离 vs. 深槽隔离
双极集成电路典型工艺的集成/4
SBC结构集电极深接触的实现
双极集成电路典型工艺的集成/5
SBC双极IC基区的设计考虑 
双极集成电路典型工艺的集成/6
双极集成电路典型工艺的集成/7
工艺流程
光刻掩膜版汇总
MOS 器件的自隔离 /1
MOS 器件的自隔离 /2
MOS IC中器件隔离的作用 /1
MOS IC中器件隔离的作用 /2
制备厚氧化层的最直接方法
硅的局部氧化(隔离)技术
标准LOCOS工艺主要步骤
LOCOS的主要作用
LOCOS的掩膜
局部氧化技术(1)
局部氧化技术(2)
LOCOS存在的主要问题 /1
“鸟嘴” 形成的原因及影响
LOCOS存在的主要问题 /2
LOCOS主要问题的解决措施 /1
PBL－Crab Eyes
LOCOS主要问题的解决措施 /２
侧墙掩蔽隔离技术(SWAMI)
Shallow Trench Isolation /1
CMOS 工艺中的基本模块
CMOS IC 中的阱
双阱工艺
Twin Well
阱注入技术
阱注入技术 ―倒掺杂技术
场注入(沟道阻止注入)技术
场注入的作用
栅氧和阈值电压调整
Early STI
Advanced STI /1 
Advanced STI /2
Transistor Making: Metal Gate /1
Transistor Making Metal Gate /2
硅栅工艺
自对准技术
硅栅自对准工艺
Self-aligned Gate
硅栅自对准工艺的优点
自对准技术及其作用
MOS工艺中的自对准结构 /1
自对准源漏工艺步骤
Self-aligned Twin Well
轻掺杂漏注入技术LDD(Lightly Doped Drain/Source)
LDD Formation /1
LDD Formation /2
LDD的作用
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