微电子器件工艺课程设计(DOC 33页)

广东工业大学课程设计任务书....2
一、设计任务及目标....5
二、 晶体管的主要设计步骤和原则....5
2.1.晶体管设计一般步骤....5
2.2．晶体管设计的基本原则....6
三、晶体管物理参数设计....7
3.1. 各区掺杂浓度及相关参数的计算....7
3.2.集电区厚度Wc的选择....10
3.3. 基区宽度WB....10
3.4.扩散结深....13
3.5.杂质表面浓度....14
3.6.芯片厚度和质量....14
3.7. 晶体管的横向设计、结构参数的选择....14
四、工艺参数设计....16
4.1. 工艺参数计算思路....16
4.2. 基区相关参数的计算过程....16
4.3.发射区相关参数的计算过程....18
4.4. 氧化时间的计算....20
五、设计参数总结....21
六、 工艺流程图....22
七、 生产工艺说明....24
7.1 硅片清洗....24
7.2  氧化工艺....26
7.3. 光刻工艺....27
7.4 磷扩散工艺（基区扩散）....29
7.5 硼扩散工艺(发射区扩散)....31
八.心得体会....32
九.参考文献....33

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