试谈光电信息功能材料研究进展(ppt 43页)

试谈光电信息功能材料研究进展目录：
一、光电信息功能材料－现代信息社会的支柱
二、光电信息功能材料研究进展
2.1、硅微电子技术发展趋势
2.2、硅基异质结构材料与光电器件
2.3、激光器材料与器件
2.4、宽带隙半导体材料和器件
2.5、纳米(低维)半导体材料与量子器件
2.6、其他光电信息功能材料与器件
三、发展趋势

 

试谈光电信息功能材料研究进展内容提要：
硅微电子技术发展趋势：
硅（Si）材料作为当前微电子技术的基础，预计到本世纪中叶都不会改变。
从提高硅集成电路（ICs）性能价格比来看，增大直拉硅单晶的直径，仍是今后硅单晶发展的大趋势。硅ICs工艺由8英寸向12英寸的过渡将在近年内完成。预计2016年前后，18英寸的硅片将投入生产。
从进一步缩小器件的特征尺寸，提高硅ICs的速度和集成度看，研制适合于硅深亚微米乃至纳米工艺所需的超高纯、大直径和无缺陷硅外延片会成为硅材料发展的主流。
II-VI族宽带隙半导体材料与器件：
(Zn,Mg,Cd)X(S,Se,Te)1-X宽带隙材料研究的进展不大。
ZnO基宽禁带半导体材料以其很高的激子激活能（60mev）及其在蓝紫光电子器件方面的应用前景受到关注。ZnO纳米线在光泵下产生受激发射的实验结果，引起了广泛的兴趣，已成为目前研究热点之一。
氧化物半导体材料的研究，有可能开辟研制短波长发光材料的新途径。

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