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CMOS后端工艺制程-铜互连(PDF 87页）

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工艺技术
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CMOS后端工艺制程-铜互连(PDF 87页）内容简介

7.1 绪论
7.2 摩尔定律对互连材料的要求
7.2.1 电导率和铜互连
7.2.2 电迁移
7.2.3 线间电容和low-k材料
7.3 铜互连带来的技术挑战
7.3.1 铜扩散阻挡层
7.3.2 大马士革工艺
7.4 铜互连工艺
7.4.1 阻挡层和铜仔晶层
7.4.2电镀
7.4.3 CMP
7.5 铜互连发展现状和趋势
7.5.1 22纳米以下的新挑战
深宽比不断增加
阻挡层厚度极限
PVD的局限性
7.5.2 正在进行中的研发
PVD 工艺优化
新型阻挡层
籽晶修复层
自对准阻挡层
7.5.3 铜/钨混合接触和铜接触
7.5.4 结语
..............................

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