CMOS工艺流程与MOS电路版图举例(ppt 155页)

 1) 简化N阱CMOS工艺演示
氧化层生长
曝光
氧化层的刻蚀
N阱注入
形成N阱
氮化硅的刻蚀
场氧的生长
去除氮化硅
重新生长二氧化硅（栅氧）
生长多晶硅
刻蚀多晶硅
P+离子注入
N+离子注入
生长磷硅玻璃PSG
光刻接触孔
2) 清华工艺录像
初始氧化
光刻1，刻N阱
N阱形成
Si3N4淀积
光刻2，刻有源区，场区硼离子注入
栅氧化，开启电压调整
多晶硅淀积
光刻4，刻NMOS管硅栅，磷离子注入形成NMOS管
光刻5，刻PMOS管硅栅，硼离子注入及推进，形成PMOS管
磷硅玻璃淀积
光刻6，刻孔、磷硅玻璃淀积回流（图中有误，没刻出孔)
蒸铝、光刻7，刻铝、光刻8，刻钝化孔（图中展示的是刻铝后的图形）
离子注入的应用
N阱硅栅CMOS工艺流程
4) 图解双阱硅栅CMOS制作流程
 2. 典型P阱CMOS工艺的剖面图
4. MOS电路版图举例
2) 铝栅、硅栅MOS器件的版图
硅栅硅栅MOS器件工艺的流程Process (1)刻有源区
Process (2)刻多晶硅与自对准掺杂
Process (3)刻接触孔、反刻铝
制备耗尽型MOS管
硅栅P阱CMOS反相器版图设计举例
5) P阱硅栅单层铝布线CMOS的工艺过程
CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例
 CMOS反相器版图流程(1)

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