SU-8胶光刻工艺参数优化探讨(pdf 7页)
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SU-8胶光刻工艺参数优化探讨(pdf 7页)内容简介
SU-8胶光刻工艺参数优化探讨内容提要:
对基于SU一8胶的UV—LIGA技术进行了工艺优化,研究了光源波长和曝光时间对SU一8胶成型的影响。结果表明,光刻胶表面线宽变化随曝光时间增加先减少后增加,有一个极小值;侧壁角度先增加后减少,有一个极大值。通过优化光源波长、曝光时间以及显影时间三个主要工艺参数,可以获得侧壁角度为90.64 o正角的300 ttm厚光刻胶微结构和侧壁角度为89.98 o近似垂直的500 btm厚光刻胶微结构。
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对基于SU一8胶的UV—LIGA技术进行了工艺优化,研究了光源波长和曝光时间对SU一8胶成型的影响。结果表明,光刻胶表面线宽变化随曝光时间增加先减少后增加,有一个极小值;侧壁角度先增加后减少,有一个极大值。通过优化光源波长、曝光时间以及显影时间三个主要工艺参数,可以获得侧壁角度为90.64 o正角的300 ttm厚光刻胶微结构和侧壁角度为89.98 o近似垂直的500 btm厚光刻胶微结构。
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