光刻工艺原理培训课件(ppt 90页)

主要内容
光刻工艺原理
光刻的基本概念
硅片的制造流程
光刻技术的基本要求
光刻工艺
负性光刻
正性光刻
掩膜版与光刻胶之间的关系
光刻的八个步骤
1：气相成底膜处理
成底膜技术
HMDS滴浸润液和旋转
2：旋转涂胶
光刻胶涂胶方法
旋转涂布光刻胶的4个步骤
旋转涂胶
涂胶设备
光刻胶
光刻胶的种类及对比
光刻胶的成分
负性光刻胶交联
正性I线光刻胶
正性I线光刻胶良好的对比特性
光刻胶的物理特性
影响曝光分辨率的主要因素
传统负胶的缺点
3：软烘
在真空热板上软烘
4：对准和曝光
光刻机的三个基本目标
版图转移到光刻胶上
曝光光源
典型的高压汞灯的发射光谱
汞灯强度峰
抗反射涂层
光反射引起的光刻胶反射切口
入射光和反射光在光刻胶中干涉
光刻胶中的驻波效应
通过底部抗反射涂层的光控制
底部抗发射涂层的光相移相消
顶部抗反射涂层
接触/接近式光刻机系统
扫描投影光刻机
5:曝光后烘焙
6:显影
正胶显影
显影方法
光刻胶显影参数
显影后检查
显影检查的返工流程
坚膜 烘焙
高温下变软的光刻胶流动
干法刻蚀与湿法腐蚀相比的优点
刻蚀作用
多晶硅的刻蚀
在多晶硅栅刻蚀中不期望的微槽
单晶硅的刻蚀
金属的干法刻蚀
湿法腐蚀
刻蚀检查
刻蚀参数
刻蚀速率
刻蚀剖面
刻蚀偏差
刻蚀中的横向钻蚀和倾斜
选择比
聚合物侧壁钝化来提高各向异性

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