半导体工艺基础之氧化(PPT 58页)

简介
Oxidation
氧化膜的应用
掺杂阻挡氧化层
表面钝化(保护)氧化层
Screen Oxide
Pad and Barrier Oxides in STI Process
Application, Pad Oxide
牺牲氧化层  Sacrificial Oxide
器件隔离氧化层
Blanket Field Oxide Isolation
LOCOS Process
LOCOS
栅氧化层
氧化膜(层)应用
Silicon Dioxide Grown on ImproperlyCleaned Silicon Surface
表面未清洗硅片的热氧化层
氧化前圆片清洗
RCA清洗
Pre-oxidation Wafer Clean Particulate Removal
被氧化的硅片上有机物的清除
无机物的清洗
Pre-oxidation Wafer Clean Native Oxide Removal
Oxidation Mechanism
Oxide Growth Rate Regime
<100> Silicon Dry Oxidation
水汽氧化(Steam Oxidation）
<100> Silicon Wet Oxidation Rate
湿氧氧化(Wet Oxidation)
氧化速率
氧化速率与温度
氧化速率与圆片晶向
湿氧氧化速率
氧化速率与杂质浓度
氧化：杂质堆积和耗尽效应
Depletion and Pile-up Effects
氧化速率与HCl掺杂氧化
氧化速率与不均匀氧化
氧化工艺
Dry Oxidation System
氧化装置系统
Dry Oxidation
Dangling Bonds and Interface Charge
Wet Oxidation Process
Water Vapor Sources
Boiler System
Bubbler System
Flush System
Pyrogenic Steam System
Pyrogenic System
Rapid Thermal Oxidation
High Pressure Oxidation
氧化小结
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