CMOS制造工艺及流程教材(PPT 73页)

 一，衬底材料的准备
 二，阱的形成
 三，隔离技术
 四，栅的完成
 五，源漏的制备
 六，孔
 七，金属1布线
 八，平坦化工艺
 九，VIA及金属2
 十，钝化工艺
Main content
Part 1:0.6um process flow introduce
一，衬底材料的准备（1）
衬底材料的准备（2）
二，阱的形成（用途）
阱的形成（原理图）
阱的形成（工艺流程）
阱的形成（闩锁效应）
三，隔离技术（用途）
隔离技术(LOCOS 原理）
隔离技术(LOCOS 图）
隔离技术(LOCOS 工艺流程）
隔离技术(改善LOCOS B.B方法）
隔离技术(关于场注入）
四，栅的完成
栅的完成（Sca-oxide)
栅的完成(预栅氧与Vt调整）
栅的完成(工艺流程）
五，源漏的制备
源漏的制备（不同结构的截面图）
源漏的制备
源漏的制备(工艺流程）
六，孔的形成
孔的形成（接触电阻）
孔的形成(工艺流程）
七，金属布线（作用）
金属布线（结构）
金属布线(工艺流程）
八，平坦化工艺（作用）
平坦化工艺（常用工艺）
平坦化工艺（ Multistep process ）
平坦化工艺(工艺流程）
平坦化工艺(效果图）
九，VIA及AL-2的形成
VIA及AL-2的形成(工艺流程）
十，钝化工艺
钝化工艺(工艺流程）
其他工艺步骤（合金工艺）
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