现代CMOS工艺基本流程课件(PPT 79页)

CMOS工艺
选择衬底--------基础
热氧化
Si3N4淀积
光刻胶成形
Si3N4和SiO2刻蚀
隔离浅槽刻蚀
除去光刻胶
SiO2淀积
化学机械抛光
除去Si3N4
平面视图--------浅槽隔离
磷离子注入
硼离子注入
退火
平面视图--------N阱与P阱
牺牲氧化层生长
除去牺牲氧化层
栅氧化层生长
多晶硅淀积
多晶硅刻蚀
平面视图--------栅极
多晶硅氧化
NMOS管衔接注入
PMOS管衔接注入
Si3N4刻蚀
NMOS管源/漏注入
PMOS管源/漏注入
除去光刻胶和退火
平面视图--------源/漏极
除去表面氧化物
Ti淀积
TiSi2形成
Ti刻蚀
BPSG淀积
BPSG抛光
接触孔刻蚀
TiN淀积
钨淀积
钨抛光
平面视图--------接触孔
Metal1淀积
Metal1刻蚀
平面视图--------第一层互连
IMD淀积
IMD抛光
通孔刻蚀
TiN和钨淀积
钨和TiN抛光
平面视图--------通孔
Metal2淀积
Metal2刻蚀
平面视图--------第二层互连
钝化层淀积
钝化层成形
平面视图--------完成
完成
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