锗硅外延工艺的调试和优化课程(PDF 57页）

导论
1．1 HBT SiGe技术发展
1-2锗硅外延的性质
1．2．1锗硅的晶体结构
1．2．2应变与弛豫
1．2．3临界膜厚
1．2．4器件用锗硅的基本结构
1．3 SiGe生长技术
1．3．1表面带0备～一16
1．3．1．1热脱附清洗技术16
1．3．1．2 HF—Last清洗
1．3．1．3在氢气氛围中的热脱附
1．3．2 SiGe薄膜生长反应
1．4 SiGe HBT的电学特性
1．5本文工作的目的和论文内容的安排
第二章实验装置介绍及相关参数测试
2．1装置介绍
2．1．1腔体加热系统
2．1-2基座旋转系统
2．1．3气体传输系统
2．2相关参数测试
2．2．1腔体温度的校准
2．2．2颗粒
2．2．3本征扩展电阻率形貌
2．2．4 c／o含量和金属离子粘污测试
2．2．5基座中心化的确认
第三章单一锗组分的锗硅外延
3．1使用程序的描述

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