加热制程工艺概论(PPT 227页)

列出三种加热制程
描述集成电路制造的热制程
描述热氧化制程
说明快速加热制程(RTP)的优点
Chapter 5加热制程
目标
主题
定义
简介
集成电路制程流程
硬件设备总览
水平式炉管
水平式炉管的布局图
高温炉控制系统功能图
气体输送系统示意图
源气柜
氧化的氧来源
扩散源
沉积源
退火源
排气系统
装载晶圆, 水平式系统
装载晶圆, 垂直式系统
温度控制
温度控制系统
反应室
水平式高温炉
垂直式高温炉, 制程位置
石英炉管
石英管清洗
碳化硅管
温度控制反-弯曲 法
水平高温炉
高温炉
垂直石英炉
垂直高温炉,装载和卸除的位置
较小的占地空间
较好的污染物控制
较好的晶圆控制
硬件设备综述
氧化
硅氧化制程
硅元素的事实
氧的一些事实
氧化的应用
扩散的阻挡
表面钝化的应用
屏蔽氧化层
STI制程中的衬垫氧化层和阻挡氧化层
衬垫氧化层的应用
组件绝缘的应用
全面场区覆盖氧化制程
硅的局部氧化制程
硅的局部氧化
牺牲氧化层的应用
组件介电质的应用
氧化层的应用
不当清洗的硅表面上生成的二氧化硅结构
氧化前的清洗
美国无线电公司(RCA)的清洗
氧化前晶圆的清洗粒子移除
氧化前晶圆的清洗有机污染物移除
氧化前晶圆的清洗无机污染物移除
氧化前晶圆的清洗原生氧化层移除
氧化反应机构
氧化速率区域的说明图
<100>硅干氧氧化反应
湿 (蒸氣)氧氧化反应
<100>硅 湿氧 氧化反应
影响氧化速率的因素
氧化速率温度
氧化速率晶圆方位
湿氧氧化速率
氧化速率掺杂物浓度
氧化：掺杂物N型掺质的堆积效应和P型掺质的空乏效应
空乏效应和堆积效应
氧化速率 掺杂氧化 (HCl)
氧化速率 相异的氧化
氧化制程
干氧氧化系统示意图
干氧氧化
匣极氧化层的步骤
悬浮键引起的界面状态电荷
匣极氧化层的步骤(续)
湿氧氧化制程
水蒸气源
煮沸式系统
气泡式系统
冲洗式系统
氢氧燃烧蒸气系统
燃烧蒸气湿氧氧化系统
湿氧氧化制程步骤
快速加热氧化
快速加热氧化(RTO)制程示意图
高压氧化
高压氧化系统示意图
测量氧化层
椭圆光谱仪系统
反射光及相差(反射光谱仪)
C-V测试结构
氧化层概要
扩散
扩散掺杂制程说明
接面深度的定义
热积存
热积存的说明
扩散掺杂制程
磷扩散系统
晶圆清洗
掺杂分区图形
二氧化硅蚀刻
光阻剥除
掺杂物氧化沉积
覆盖氧化反应
五氧化二磷氧化沉积和覆盖氧化反应
驱入
剥除氧化层, 准备下一步
非晶硅驱入
限制与应用
扩散的应用: 驱入
井区布植和驱入
利用硼的扩散在超浅接面形成的制程
表面清洗
硼硅玻璃化学气相沉积法
快速加热步骤掺杂物驱入
剥除硼硅玻璃
掺杂的量测
四点探针测量
扩散的概要
退火和快速加热制程
布植后退火
离子布值之前
离子布值之后
晶体缺陷
退火制程
合金热处理
金属硅化物
钛金属硅化物制程
铝硅合金
接面尖凸现象
再流动
PSG再流动制程说明
再流动制程
退火概要
高温沉积制程
什么是化学气相沉积
高温化学气相沉积
外延
外延硅
外延硅沉积
外延硅掺杂
多晶硅
多晶硅在DRAM上的应用
多晶硅沉积
多晶硅掺杂
硅烷制程与温度的关系
硅烷制程的温度与晶体结构
多晶硅低压化学气相沉积系统
多晶硅沉积制程
多晶硅沉积系统
氮化硅
氮化硅的应用
硅的局部氧化(LOCOS)制程
浅沟槽绝缘制程
浅沟槽绝缘制程的衬垫氧化层与阻挡氧化层
自我对准接触窗蚀刻停止层
氮化硅的快捷方式
Ti/TiN沉积 和 钨
化学机械研磨 钨 和TiN/Ti
氮化硅沉积
氮化硅的LPCVD系统示意图
氮化硅沉积制程流程图
高温化学气相沉积法的未来趋势
高温炉沉积概要
快速加热制程
快速加热制程(RTP)
快速加热制程(RTP)反应室示意图
加热灯管数组
快速加热制程(RTP)反应室
退火和掺杂物扩散
退火速率和扩散速率
退火后掺杂物扩散
RTP比高温炉的优势
RTP制程温度的改变
热氮化反应
氮化钛制程
快速加热氧化制程
RTP /RTO制程示意图
未来的趋势
RTCVD反应室
RTP温度和高温炉
群集工具示意图
快速加热制程的概要
加热制程概要

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