半导体制造工艺教材(PPT 40页)

2.1　引言
2.2　器件的隔离
2.3　双极型集成电路制造工艺
2.4　CMOS器件制造工艺
1)特征尺寸0.13μm或更小。
2)硅片直径200mm或300mm。
3)使用浅槽隔离技术，有效地使硅片表面的晶体管与衬底隔离开，消除了辐射-诱导软错误。
4)增加了IC芯片的封装密度。
5)具有较高的抗辐射能力。
6)高性能电子芯片SOI芯片将成为主流。
7)铜和低k的介质用来减小RC延迟。
8)具有更低的功耗和更高的IC速度。
9)采用了大马士革工艺进行金属化。
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