工艺晶体外延生长技术课件(PPT 66页)

第8章：晶体外延生长技术
第9章：薄膜物理淀积技术
第10章：薄膜化学汽相淀积
1、Si集成电路工艺中的外延技术
2、异质结外延中的几个工艺难点
3、分子束（MBE）和金属氧化物外延（MOCVD）的主要原理和工艺特点
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