集成电路制造技术(PPT 67页)

光刻的重要性
光刻工艺流程
光源
光刻胶
分辨率
湿法刻蚀
干法刻蚀
集成电路制造技术第八章 光刻与刻蚀工艺
主要内容
第八章  光刻与刻蚀工艺
掩模版
Clean Room净化间
1)清洗硅片  Wafer Clean
5、对准  Alignment
9、坚膜  Hard Bake
光刻1－清洗
光刻3－涂胶 Spin Coating
光刻胶厚度与旋转速率和粘性的关系
光刻4－前烘Soft Bake
5-6、对准与曝光  Alignment and Exposure
光刻7－曝光后烘焙（后烘，PEB）
光刻8－显影(Development)
光刻9－坚膜（Hard Bake）
光刻10－图形检测（Pattern Inspection）
8.1.2  分辨率
表1 影响光刻工艺效果的一些参数
1）数值孔径NA （Numerical Aperture）
8.1.3  光刻胶-Photoresist(PR)
负胶Negative hotoresists：
1)聚合物材料
3)溶剂
1）紫外-汞灯
接触式曝光
分步重复投影光刻机--Stepper
8.1.6  掩模版（光刻版）Mask
基本概念
1）栅掩膜对准 Gate Mask Alignment
5）刻蚀多晶 Etch Polysilicon
8.2.1  湿法刻蚀
Si的湿法刻蚀
Si3N4的湿法腐蚀
RIE试验
SiO2和Si的干法刻蚀
Si3N4的干法刻蚀
多晶硅与金属硅化物的干法刻蚀
铝及铝合金的干法腐蚀
8.2.3  干法刻蚀和湿法刻蚀的比较
8.2.4  刻蚀总结

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