集成电路工艺原理(PPT 40页)

第一章  前言
第二章  晶体生长
第三章  实验室净化及硅片清洗
第四章  光刻
第五章  热氧化
第六章  热扩散
第七章  离子注入
第八章  薄膜淀积
第九章  刻蚀
第十章  后端工艺与集成
第十一章  未来趋势与挑战
集成电路工艺原理
注入离子如何在体内静止？
 核阻止本领与电子阻止本领-LSS理论
核阻止本领
电子阻止本领
总阻止本领（Total stopping power）
注入离子的浓度分布
注入离子的真实分布
注入掩蔽层——掩蔽层应该多厚？
离子注入的沟道效应
减少沟道效应的措施
典型离子注入参数
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