COMSIC制造工艺流程(DOC 31页)

1.典型的亚微米CMOSIC制造流程图；
2.描述CMOS制造工艺14个步骤的主要目的；
4.讨论每一步CMOS制造流程的关键工艺
第七章COMSIC制造工艺流程
CMOS工艺流程中的主要制造步骤
CMOS制作步骤
一、双井工艺
二、浅曹隔离工艺
三、PolyGateStructureProcess
四、轻掺杂；漏注入工艺第六层掩膜
2）P-轻掺杂漏注入（低能量，浅结）
五、侧墙的形成
六、源/漏注入工艺
七、接触（孔）的形成钛金属接触的主要步骤
八、局部互连工艺
LI氧化硅介质的形成
1）氮化硅化学气相淀积
2）掺杂氧化物的化学气相淀积
3）氧化层抛光（CMP）
4）第九层掩膜，局部互连刻蚀
LI金属的形成1)金属钛淀积（PVD工艺）
2）氮化钛淀积3）钨淀积
4）磨抛钨(化学机械工艺平坦化)
九、通孔1和钨塞1的形成
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