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MOS器件物理--转移特性曲线(ppt 29页)

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工艺技术
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相关资料:
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MOS器件物理--转移特性曲线(ppt 29页)内容简介

一、 转移特性曲线
二、 MOS管的直流导通电阻
三、 MOS管的最高工作频率
四、 饱和区MOS管的跨导与导纳
五、 MOS管的最高工作频率
六、 二阶效应
七、 衬底偏置效应(体效应)
八、 沟道调制效应
九、 亚阈值效应
十、 温度效应


一、 转移特性曲线
在一个固定的VDS下的MOS管饱和区的漏极电流与栅源电压之间的关系称为MOS管的转移特性。
在实际应用中,生产厂商经常为设计者提供的参数中,经常给出的是在零电流下的开启电压    
注意           ,Vth0为无衬偏时的开启电压,而     是在与VGS特性曲线中与VGS轴的交点电压,实际上为零电流的栅电压
从物理意义上而言,    为沟道刚反型时的栅电压,仅与沟道浓度、氧化层电荷等有关;而Vth0与人为定义开启后的IDS有关。
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