半导体制造工艺技术(PPT 68页)
半导体制造工艺技术(PPT 68页)内容简介
淀积
概述
目标
MSI时代nMOS晶体管的各层膜
引言
ULSI硅片上的多层金属化
芯片中的金属层
固态薄膜
薄膜特性
膜对台阶的覆盖
高的深宽比间隙可以用深宽比来描述一个小间隙(如槽或孔),深宽比定义为间隙的深度和宽度的比值(见下图)
高的深宽比间隙
薄膜生长的步骤
膜淀积技术
化学气相淀积
化学气相淀积的设备
CVD化学过程
CVD反应
CVD传输和反应步骤图
CVD中的气流
硅片表面的气流
CVD淀积系统
CVD反应器类型
各种类型CVD反应器及其主要特点
连续加工的APCVD反应炉
APCVDTEOS-O3改善后的台阶覆盖
PSG回流后平坦化的表面
LPCVD
硅片表面的边界层
LPCVDReactionChamberforDepositionofOxides,Nitrides,orPolysilicon
用TEOSLPCVD淀积氧化硅
KeyReasonsfortheUseofDopedPolysiliconintheGateStructure
DopedPolysiliconasaGateelectrode
等离子体辅助CVD
在等离子体辅助CVD中膜的形成
GeneralSchematicofPECVDforDepositionofOxides,Nitrides,SiliconOxynitrideorTungsten
用LPCVD和PECVD氮化硅的性质
高密度等离子体淀积腔
淀积-刻蚀-淀积工艺
HDPCVD工艺的五个步骤
在涡轮泵出口放置硅片的HDPCVD
介质及其性能
介质间隙填充的三个过程
ULSI互连中可能的低K值ILD材料
互连延迟(RC)与特征尺寸的关系(m)
芯片性能
总互连线电容
低-k值绝缘介质要求
DRAM叠层电容的示意图
浅槽隔离
旋涂绝缘介质
用Spin-On-Glass填充间隙
HSQ低-k值绝缘介质工艺参数
外延
硅片上外延生长硅
气相外延示意图
硅气相外延炉
CVD质量测量ILD中钥匙孔的效果(金属台阶覆盖上)
..............................
概述
目标
MSI时代nMOS晶体管的各层膜
引言
ULSI硅片上的多层金属化
芯片中的金属层
固态薄膜
薄膜特性
膜对台阶的覆盖
高的深宽比间隙可以用深宽比来描述一个小间隙(如槽或孔),深宽比定义为间隙的深度和宽度的比值(见下图)
高的深宽比间隙
薄膜生长的步骤
膜淀积技术
化学气相淀积
化学气相淀积的设备
CVD化学过程
CVD反应
CVD传输和反应步骤图
CVD中的气流
硅片表面的气流
CVD淀积系统
CVD反应器类型
各种类型CVD反应器及其主要特点
连续加工的APCVD反应炉
APCVDTEOS-O3改善后的台阶覆盖
PSG回流后平坦化的表面
LPCVD
硅片表面的边界层
LPCVDReactionChamberforDepositionofOxides,Nitrides,orPolysilicon
用TEOSLPCVD淀积氧化硅
KeyReasonsfortheUseofDopedPolysiliconintheGateStructure
DopedPolysiliconasaGateelectrode
等离子体辅助CVD
在等离子体辅助CVD中膜的形成
GeneralSchematicofPECVDforDepositionofOxides,Nitrides,SiliconOxynitrideorTungsten
用LPCVD和PECVD氮化硅的性质
高密度等离子体淀积腔
淀积-刻蚀-淀积工艺
HDPCVD工艺的五个步骤
在涡轮泵出口放置硅片的HDPCVD
介质及其性能
介质间隙填充的三个过程
ULSI互连中可能的低K值ILD材料
互连延迟(RC)与特征尺寸的关系(m)
芯片性能
总互连线电容
低-k值绝缘介质要求
DRAM叠层电容的示意图
浅槽隔离
旋涂绝缘介质
用Spin-On-Glass填充间隙
HSQ低-k值绝缘介质工艺参数
外延
硅片上外延生长硅
气相外延示意图
硅气相外延炉
CVD质量测量ILD中钥匙孔的效果(金属台阶覆盖上)
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