集成电路工艺技术系列讲座(PPT 69页)

BMD (Bulk Micro Defects)
CZ(直拉）法生长单晶
DZ (Denuded Zone)
ESF (Epi Stacking Faults)(111)
ESF(Epi Stacking Faults)(100)
IC 制造环境(1)净化级别和颗粒数
IC制造环境(2) 超纯水
IC制造环境(3)超纯化学药品
IC技术发展趋势(1)特征线宽随年代缩小
IC技术发展趋势(1)特征线宽随年代缩小
IC技术发展趋势(1)集成度不断提高－摩尔定律
IC技术发展趋势(2)硅片大直径化
IC技术发展趋势(3)CPU运算能力
IC技术发展趋势(4)结构复杂化　功能多元化
IC技术发展趋势(5)芯片价格不断降低
MOSFET等比例缩小
MOSFET等比例缩小示意
MOSFET等比例缩小规则
OISF
从原料到抛光片
位错
净化室
分凝系数
双极型晶体管的等比例缩小
双极集成电路工艺
双极集成电路工艺
吸杂 (Gettering)
基本长沟道MOSFET器件
层错
工艺整合
平面工艺－制造二极管
平面工艺－图形转移技术
引言
恒电场和恒电压缩小
抛光片主要技术指标
掺杂物质的分布
晶体缺陷
有效分凝系数
氧沉淀 –氧在硅中固溶度
滑移线
滑移线腐蚀坑
点缺陷
短沟道效应
硅片准备
硅片的定位面
硅片的定位面／定位槽
硅衬底材料
缺陷的两重性
讲座安排
起始材料
金刚石晶体结构
集成电路制造环境
集成电路单项工艺
集成电路工艺技术
集成电路工艺技术讲座第一讲
集成电路技术发展趋势
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