CMOS工艺流程与MOS电路版图举例(ppt 154页)

CMOS工艺流程与MOS电路版图举例目录：
1.CMOS工艺流程
1)简化N阱CMOS工艺演示flash
2)清华工艺录像：N阱硅栅CMOS工艺流程
3)双阱CMOS集成电路的工艺设计
4)图解双阱硅栅CMOS制作流程
2.典型N阱CMOS工艺的剖面图
3.SimplifiedCMOSProcessFlow
4.MOS电路版图举例

 

CMOS工艺流程与MOS电路版图举例内容简介：
形成N阱
-初始氧化，形成缓冲层，淀积氮化硅层
-光刻1，定义出N阱
-反应离子刻蚀氮化硅层
-N阱离子注入，先注磷31P+ ，后注砷75As+
形成P阱
-在N阱区生长厚氧化层，其它区域被氮化硅层保护而不会被氧化
-去掉光刻胶及氮化硅层
-P阱离子注入，注硼
推阱
-退火驱入，双阱深度约1.8μm
-去掉N阱区的氧化层
形成硅化物
-淀积氧化层
-反应离子刻蚀氧化层，形成侧壁氧化层（spacer, sidewall）
-淀积难熔金属Ti或Co等
-低温退火，形成C-47相的TiSi2或CoSi
-去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或Co
-高温退火，形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2

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