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集成电路制造工艺及设备概述(PPT 47页)

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设备管理
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集成电路制造工艺及设备概述(PPT 47页)内容简介
3.2热氧化原理和方法
离子注入的优点
电流积分仪
离子注入的损伤和退火效应
注入离子的激活
离子注入后的热退火
光学曝光的三种曝光方式
接触式曝光
接近式曝光
投影式曝光
4.1CVD法制作SiO2薄膜
Si3N4作为硅片高温局部氧化的掩蔽层
不同材料的阻钠能力
4.3铝布线的优缺点
硅的热氧化是指在高温下,硅片表面同氧气或水进行反应,生成SiO2。
硅的热氧化有:干氧、湿氧、水汽氧化三种。
干氧氧化的SiO2膜结构致密,干燥、均匀
性和重复性好、掩蔽能力强、钝化效果好,
与光刻胶的接触良好,光刻时不易浮胶。
水汽氧化的SiO2膜结构疏松,表面有斑点
和缺陷,含水量多,对杂质的掩蔽能力差,
所以在工艺中很少单独采用。
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集成电路制造工艺及设备概述(PPT 47页)

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