硅工艺简易笔记(DOC 33页)
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硅工艺简易笔记(DOC 33页)内容简介
第三章 扩 散
第九章 金属化与多层互连
第二章 氧化
第五章 物理气相淀积
第八章 光刻与刻蚀工艺
第六章 化学气相淀积
第四章 离子注入
1. APCVD（常压 CVD ）
1. P的再分布（m=10）
1. 低温CVD
1.使集成密度大大增加，集成度提高；
1.干氧氧化：高温下，氧气与硅片反应生成SiO2
1.氧化剂分压
1.涂胶前的Si片处理(以在SiO2表面光刻为例)
1.硅表面晶向
1.离子源
1.等离子体刻蚀原理
1.网络形成者：即替位式杂质，取代Si，如B、P、Sb等。其特
1.预氧化清洗
2. B的再分布（m=0.3）
2. LPCVD（低压 CVD ）
2. 中温LPCVD SiO2
2.1 SiO2的结构与性质
2.2.1 杂质在SiO2中的存在形式
2.2.2 杂质在SiO2中的扩散系数
2.3.1 硅的热氧化
2.3.2 热氧化生长动力学
2.4.1 决定氧化速率常数的因素
2.4.2 影响氧化速率的其它因素
2.5 热氧化的杂质再分布
2.6 薄氧化层
2.使单位芯片面积上可用的互连线面积大大增加；
2.改进氧化工艺：高温（>900℃）快速氧化
2.杂质
2.氧化温度
2.水汽氧化：高温下，硅片与高纯水蒸汽反应生成SiO2
2.涂胶
2.溅射刻蚀原理
2.磁分析器（质量分析器）
2.网络改变者：即间隙式杂质，如Na、K、Pb、Ca、
3. PECVD（等离子体增强CVD）
3.2 扩散系数与扩散方程
3.3.1 恒定表面源扩散
3.3.2 有限表面源扩散
3.3.3 两步扩散工艺
3.4 影响杂质分布的其他因素
3.4.2 扩散系数与杂质浓度的关系
3.4.3 氧化增强扩散（OED）
3.4.4 发射区推进（陷落）效应
3.4.5 二维扩散（横向扩散）
3.加速器
3.化学改善氧化层工艺：引入Cl、F、N2、NH3、N2O
3.反应离子刻蚀原理
3.湿氧氧化——氧气中携带一定量的水汽
3.降低互连延迟：
4. CVD和叠层氧化硅
4. 降低成本
4.1 核碰撞和电子碰撞
4.2 注入离子分布
4.2.2 横向效应
4.2.3 沟道效应(ion channeling)
4.3 注入损伤
4.3.3 非晶层的形成
4.偏束板：使中性原子束因直线前进不能达到靶室。
4.掺氯氧化——在干氧中掺少量的Cl2、HCl、C2HCl3
5.1 真空蒸发的基本原理
5.4 溅射
5.扫描器：使离子在整个靶片上均匀注入。
6.1.1 CVD的基本过程
6.1.3 Grove模型
6.2.4 CVD技术
6.3.2 CVD多晶硅
6.4.1 CVD SiO2的方法
6.5 CVD Si3N4
6.靶室（工作室）
7.1.2 外延生长模型
7.1.3 化学反应—H2还原SiCl4体系
7.1.4 生长速率与温度的关系
7.1.5 生长速率与反应剂浓度的关系
7.1.6 生长速率v与气体流速U的关系
7.2 外延层的杂质分布
7.2.2 扩散效应
7.2.3 自掺杂效应（非故意掺杂）
7.3 低压外延（5-20kPa）
7.4 选择性外延
7.6 SOS及SOI技术
7.7 分子束外延（MBE）
8.1 光刻工艺流程
8.1.1 涂胶
8.1.2 前烘
8.1.3 曝光：
8.1.4 显影
8.1.5 坚膜
8.1.6 腐蚀（刻蚀）
8.1.7 去胶
8.10 ULSI对图形转移的要求
8.11 湿法刻蚀
8.12 干法腐蚀
8.2 分辨率
8.3 光刻胶的基本属性
8.3.1 对比度γ
8.3.3 光敏度S
8.3.4 抗蚀能力
8.6 紫外光曝光
8.6.4 接近式曝光
8.6.5 接触式曝光
8.6.6 投影式曝光
8.7 掩模版（光刻版）的制造
8.7.4 移相掩模（PSM）
9.2 Al的应用
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第九章 金属化与多层互连
第二章 氧化
第五章 物理气相淀积
第八章 光刻与刻蚀工艺
第六章 化学气相淀积
第四章 离子注入
1. APCVD（常压 CVD ）
1. P的再分布（m=10）
1. 低温CVD
1.使集成密度大大增加，集成度提高；
1.干氧氧化：高温下，氧气与硅片反应生成SiO2
1.氧化剂分压
1.涂胶前的Si片处理(以在SiO2表面光刻为例)
1.硅表面晶向
1.离子源
1.等离子体刻蚀原理
1.网络形成者：即替位式杂质，取代Si，如B、P、Sb等。其特
1.预氧化清洗
2. B的再分布（m=0.3）
2. LPCVD（低压 CVD ）
2. 中温LPCVD SiO2
2.1 SiO2的结构与性质
2.2.1 杂质在SiO2中的存在形式
2.2.2 杂质在SiO2中的扩散系数
2.3.1 硅的热氧化
2.3.2 热氧化生长动力学
2.4.1 决定氧化速率常数的因素
2.4.2 影响氧化速率的其它因素
2.5 热氧化的杂质再分布
2.6 薄氧化层
2.使单位芯片面积上可用的互连线面积大大增加；
2.改进氧化工艺：高温（>900℃）快速氧化
2.杂质
2.氧化温度
2.水汽氧化：高温下，硅片与高纯水蒸汽反应生成SiO2
2.涂胶
2.溅射刻蚀原理
2.磁分析器（质量分析器）
2.网络改变者：即间隙式杂质，如Na、K、Pb、Ca、
3. PECVD（等离子体增强CVD）
3.2 扩散系数与扩散方程
3.3.1 恒定表面源扩散
3.3.2 有限表面源扩散
3.3.3 两步扩散工艺
3.4 影响杂质分布的其他因素
3.4.2 扩散系数与杂质浓度的关系
3.4.3 氧化增强扩散（OED）
3.4.4 发射区推进（陷落）效应
3.4.5 二维扩散（横向扩散）
3.加速器
3.化学改善氧化层工艺：引入Cl、F、N2、NH3、N2O
3.反应离子刻蚀原理
3.湿氧氧化——氧气中携带一定量的水汽
3.降低互连延迟：
4. CVD和叠层氧化硅
4. 降低成本
4.1 核碰撞和电子碰撞
4.2 注入离子分布
4.2.2 横向效应
4.2.3 沟道效应(ion channeling)
4.3 注入损伤
4.3.3 非晶层的形成
4.偏束板：使中性原子束因直线前进不能达到靶室。
4.掺氯氧化——在干氧中掺少量的Cl2、HCl、C2HCl3
5.1 真空蒸发的基本原理
5.4 溅射
5.扫描器：使离子在整个靶片上均匀注入。
6.1.1 CVD的基本过程
6.1.3 Grove模型
6.2.4 CVD技术
6.3.2 CVD多晶硅
6.4.1 CVD SiO2的方法
6.5 CVD Si3N4
6.靶室（工作室）
7.1.2 外延生长模型
7.1.3 化学反应—H2还原SiCl4体系
7.1.4 生长速率与温度的关系
7.1.5 生长速率与反应剂浓度的关系
7.1.6 生长速率v与气体流速U的关系
7.2 外延层的杂质分布
7.2.2 扩散效应
7.2.3 自掺杂效应（非故意掺杂）
7.3 低压外延（5-20kPa）
7.4 选择性外延
7.6 SOS及SOI技术
7.7 分子束外延（MBE）
8.1 光刻工艺流程
8.1.1 涂胶
8.1.2 前烘
8.1.3 曝光：
8.1.4 显影
8.1.5 坚膜
8.1.6 腐蚀（刻蚀）
8.1.7 去胶
8.10 ULSI对图形转移的要求
8.11 湿法刻蚀
8.12 干法腐蚀
8.2 分辨率
8.3 光刻胶的基本属性
8.3.1 对比度γ
8.3.3 光敏度S
8.3.4 抗蚀能力
8.6 紫外光曝光
8.6.4 接近式曝光
8.6.5 接触式曝光
8.6.6 投影式曝光
8.7 掩模版（光刻版）的制造
8.7.4 移相掩模（PSM）
9.2 Al的应用
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