CMOS集成电路制造工艺教材(PPT 92页)
CMOS集成电路制造工艺教材(PPT 92页)内容简介
6.1 CMOS工艺
6.2 CMOS版图设计
6.3 封装技术
第6章 CMOS集成电路制造工艺
木版年画
半导体芯片制作过程
硅片（wafer）的制作
掩模版（mask,reticle）的制作
外延衬底的制作
集成电路加工的基本操作
1、形成图形
光刻（photolithography）
曝光（exposure）
刻蚀（etch）
光刻的基本原理
正胶和负胶的差别
2、薄膜形成：淀积
2、薄膜形成：氧化
3、掺杂：扩散和注入
从器件到电路：通孔
从器件到电路：互连线
从器件到电路：多层互连
从硅片到芯片：加工后端
6.1 CMOS工艺
6.1.1 基本工艺步骤
6.1.2 n阱CMOS工艺流程
6.1.3 硅基CMOS中的闩锁效应
体硅CMOS中的闩锁效应
闩锁效应:等效电路
防止闩锁效应的措施
抑制闩锁效应：
4、保护环
5、外延衬底
深亚微米CMOS结构和工艺
深亚微米CMOS工艺的主要改进
1、浅沟槽隔离
浅沟槽隔离（STI）
STI抑制 窄沟效应
2、外延双阱工艺
3 沟道区的逆向掺杂和环绕掺杂结构
逆向掺杂
逆向掺杂： Delta沟道技术
横向沟道工程：HALO掺杂结构
横向沟道工程： POCKET掺杂结构
4、n＋、p＋两种硅栅
5、SDE结构
SDE结深减小趋势
6、硅化物自对准结构
7、铜互连
常规互连和镶嵌工艺比较
采用铜互连可以减少连线层数
先进深亚微米CMOS工艺过程
先进深亚微米CMOS工艺过程（续）
90nm CMOS技术平台的主要指标
违背版图设计规则的结果
6.2 CMOS版图设计
2.3.2 SOI CMOS基本工艺
SOI CMOS结构
SOI MOSFET的性能
形成SOI 硅片的基本工艺 (1)
形成SOI 硅片的基本工艺 (2)
形成SOI 硅片的基本工艺 (3)
基于台面隔离的SOI CMOS基本工艺流程
SOI CMOS的优越性
SOI技术实现三维立体集成
SOI CMOS反相器结构
SOI 与体硅CMOS性能比较
..............................
6.2 CMOS版图设计
6.3 封装技术
第6章 CMOS集成电路制造工艺
木版年画
半导体芯片制作过程
硅片（wafer）的制作
掩模版（mask,reticle）的制作
外延衬底的制作
集成电路加工的基本操作
1、形成图形
光刻（photolithography）
曝光（exposure）
刻蚀（etch）
光刻的基本原理
正胶和负胶的差别
2、薄膜形成：淀积
2、薄膜形成：氧化
3、掺杂：扩散和注入
从器件到电路：通孔
从器件到电路：互连线
从器件到电路：多层互连
从硅片到芯片：加工后端
6.1 CMOS工艺
6.1.1 基本工艺步骤
6.1.2 n阱CMOS工艺流程
6.1.3 硅基CMOS中的闩锁效应
体硅CMOS中的闩锁效应
闩锁效应:等效电路
防止闩锁效应的措施
抑制闩锁效应：
4、保护环
5、外延衬底
深亚微米CMOS结构和工艺
深亚微米CMOS工艺的主要改进
1、浅沟槽隔离
浅沟槽隔离（STI）
STI抑制 窄沟效应
2、外延双阱工艺
3 沟道区的逆向掺杂和环绕掺杂结构
逆向掺杂
逆向掺杂： Delta沟道技术
横向沟道工程：HALO掺杂结构
横向沟道工程： POCKET掺杂结构
4、n＋、p＋两种硅栅
5、SDE结构
SDE结深减小趋势
6、硅化物自对准结构
7、铜互连
常规互连和镶嵌工艺比较
采用铜互连可以减少连线层数
先进深亚微米CMOS工艺过程
先进深亚微米CMOS工艺过程（续）
90nm CMOS技术平台的主要指标
违背版图设计规则的结果
6.2 CMOS版图设计
2.3.2 SOI CMOS基本工艺
SOI CMOS结构
SOI MOSFET的性能
形成SOI 硅片的基本工艺 (1)
形成SOI 硅片的基本工艺 (2)
形成SOI 硅片的基本工艺 (3)
基于台面隔离的SOI CMOS基本工艺流程
SOI CMOS的优越性
SOI技术实现三维立体集成
SOI CMOS反相器结构
SOI 与体硅CMOS性能比较
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