述职报告(ppt 36页)

述职报告目录：
一、outline
二、阻滞机制
三、离子射程（Ion Range）
四、通道效应（channeling effect）
五、减少通道效应的三种方法
六、Damage与Anneal
七、损伤与热退火
八、Major implant steps in MOS device

 

述职报告内容提要：
当离子轰击并进入substrate时，它会与晶格原子碰撞。原子会逐渐失去能量，而最后停在晶格里面。有两种阻滞机制：一种是植入的离子与晶格原子的原子核产生碰撞，并经由这种碰撞引起明显的散射而将能量转移至晶格原子，这种称作为原子核阻滞（Nuclear Stopping）；另一种阻滞机制是当入射的离子与晶格原子的电子产生碰撞，在电子碰撞的过程中，入射离子的轨迹几乎是不变的，能量转换的非常的小，而晶格的损坏也可以被忽略。这种碰撞称作电子阻滞（Electronic Stopping）
带能量的离子能够穿入靶标，而渐渐的藉着与基片内的原子的碰撞而失去能量，并最终停留在基片内部。
一般而言，离子的能量越高，它就愈能深入基片。然而即使是相同的注入能量，离子也无法在基片内部刚好停止在相同的深度，因为，每个离子都是与不同的原子产生碰撞。投影离子会有一个分布区域的，如下图所示：
离子在一个非晶态材料内的投影射程会遵循着高斯分布，也就是所谓的常态分布。单晶硅中的晶格原子会整齐的排列着，而且在特定的角度可以看到很多通道。假如一个离子以正确的角度进入通道，它只要带有很少的能量就可以进很长的距离，这就是通道效应（channeling effect）

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