工艺流程相关知识(ppt 64页)

主要内容
第4章 集成电路特定工艺
4.1 引言
4.2 双极型集成电路的基本制造工艺
4.3  MESFET工艺与HEMT工艺
4.4 CMOS集成电路的基本制造工艺
4.5 BiCMOS集成电路的基本制造工艺

 

4.1 引言
特定工艺
4.2  双极型集成电路的基本制造工艺
典型PN结隔离掺金TTL电路工艺流程图
双极型集成电路基本制造工艺步骤
第一次光刻——N+隐埋层扩散孔光刻
第二次光刻——P+隔离扩散孔光刻
双极型集成电路的基本制造工艺步骤
第四次光刻——N+发射区扩散孔光刻
   4.3 MESFET工艺与HEMT工艺
MESFET工艺
 MESFET工艺
MESFET工艺的效果
高电子迁移率晶体管（HEMT）
HEMT工艺
简单的HEMT的层结构
HEMT的性能和发展
4.4 CMOS集成电路的基本制造工艺
P阱CMOS工艺
N阱CMOS工艺
N阱CMOS芯片剖面示意图
双阱CMOS工艺
双阱CMOS工艺主要步骤
MOS工艺的自对准结构
自对准工艺 示意图
自对准工艺
4.5 BiCMOS集成电路的基本制造工艺
BiCMOS工艺分类
以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺
标准P阱CMOS工艺实现的NPN晶体管的剖面结构示意图
标准 P阱CMOS 工艺结构特点
以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺
N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺
N阱CMOS-NPN外延衬底结构剖面图
双极工艺为基础的BiCMOS工艺
三种以PN结隔离双极型工艺为基础的P阱BiCMOS器件结构剖面图 ：
以双极工艺为基础的双阱BiCMOS工艺
双埋层双阱Bi-CMOS工艺器件结构剖面图
预习下节课：
本小节结束  (1~62)

 

 

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