NF4BIOSMemory操作指导书(doc 16页)

NF4BIOSMemory操作指导书内容提要：
如何进一步理解 ”时间参数” 怎样影响记忆性能， 你应该了解有关现代随机存取储存器(RAM)的一切。 "RAM Timming"下面的图表将给你它怎样工作的概述。 AMD A64 CPU 包含了记忆控制单元，控制单元地址可以正确的存取 内存 芯片。 而此控制单元是透过列和排的寻址找到每个交叉点即代表一个记忆数据。
最佳化时间参数将加速进入内存的过程。 存储器控制器首先确定它打算处理的储存数据的Row地址，定Row地址所花费的时间称为tRCD； 接下来定Column地址所发费的时间称为tCL。 在等待tRAS 和tRP之后即完成一个地址的数据储存，然后重复以上过程就可以完成资料的存取。
这是来自Corsair的一个RAM 的在线多媒体解释︰
以下是一个非常简短的解释
在你开始之前，这里是一张我制作用以帮助你超频(或只是在nF4主机板上稳定?#092;作的设定)的空白窗体，
这窗体应该可以适用在nF4的所有版本，这个点子是从masterwoot那得来的，我修改并制作一个更新的版本，谢谢masterwood!
如果要用IE浏览器顺利印出此窗体，请将页面设定为左右两边的留白区为0.5吋
在你打印前----请设定为画像模式，计算机可能需要几秒钟的时间做存取…

 

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