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新材料的研究及其开发(doc 6页)

所属分类:
建筑材料
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新材料,开发
新材料的研究及其开发(doc 6页)内容简介
新材料的研究及其开发内容提要:
纳米材料科学技术:
但不同档次的硅芯片在21世纪仍大量存在,并将有所发展。
在绝缘衬底上的硅(SOI,SiOnInsulator):功能低、低漏电、集成度高、高速度、工艺简单等。SOI器件用于便携式通信系统,既耐高温又抗辐照。
集成系统(IS,IntegratedSystem):在单个芯片上完成整系统的功能,集处理器、存储器直到器件设计于一个芯片(SystemonaChip)。
集成电路的总发展趋势:高集成度、微型化、高速度、低功耗、高灵敏度、低噪声、高可靠、长寿命、多功能。为了达到上述目标,有赖于外延技术(VPE,LPE,MOCVD及MBE)的发展,同时对硅单晶的要求也愈来愈高。表1为集成电路的发展对材料质量的要求。
光纤发展阶段及所需材料
光纤材料:
石英玻璃:SiO2、SiO2-GeO2、SiO2-B2O3-F
多组分玻璃:SiO2-GaO-Na2O、SiO2-B2O3¨CNa2O
红外玻璃:重金属氧化物、卤化物
掺稀土元素玻璃:Er、Nd、¡­
多模只适于小容量近距离(40Km,100Mbps)
单模可传输调制后的信号≥40Gbps到200Km,
而不需放大。

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