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IC芯片封装工艺介绍(ppt 43页)

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IT行业
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IC芯片封装工艺介绍(ppt 43页)内容简介

IC芯片封装工艺介绍目录:
一、IC Process Flow
二、IC Package (IC的封装形式)
三、IC Package Structure(IC结构图)
四、Raw Material in Assembly(封装原材料)
五、Typical  Assembly Process Flow
六、FOL– Front of Line前段工艺
七、FOL– Back Grinding背面减薄
八、FOL– Wafer Saw晶圆切割
九、FOL– 2nd Optical Inspection二光检查
十、FOL– Die Attach 芯片粘接
十一、FOL– Epoxy Cure 银浆固化
十二、FOL– Wire Bonding 引线焊接
十三、FOL– 3rd Optical Inspection三光检查
十四、EOL– End of Line后段工艺
十五、EOL– Molding(注塑)
十六、EOL– Laser Mark(激光打字)
十七、EOL– Post Mold Cure(模后固化)
十八、EOL– De-flash(去溢料)
十九、EOL– Plating(电镀)
二十、EOL– Post Annealing Bake(电镀退火)
二十一、EOL– Trim&Form(切筋成型)
二十二、EOL– Final Visual Inspection(第四道光检)

 

IC芯片封装工艺介绍内容提要:
IC Package (IC的封装形式):
QFN—Quad Flat No-lead Package 四方无引脚扁平封装
SOIC—Small Outline IC 小外形IC封装
TSSOP—Thin Small  Shrink Outline Package 薄小外形封装
QFP—Quad Flat Package 四方引脚扁平式封装
BGA—Ball Grid Array Package 球栅阵列式封装
CSP—Chip Scale Package 芯片尺寸级封装
【Gold Wire】焊接金线:
实现芯片和外部引线框架的电性和物理连接;
金线采用的是99.99%的高纯度金;
同时,出于成本考虑,目前有采用铜线和铝线工艺的。优点是成本降低,同时工艺难度加大,良率降低;
线径决定可传导的电流;0.8mil,1.0mil,1.3mils,1.5mils和2.0mils;


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