关于集成电路制造工艺介绍(doc 73页)

关于集成电路制造工艺介绍目录：
第一章、衬底材料及衬底制备
第二章、外延工艺
第三章、氧化工艺
第四章、掺杂工艺
第五章、光刻工艺
第六章、制版工艺
第七章、隔离工艺
第八章、表面钝化工艺
第九章、表面内电极与互连、
第十章、器件组装

 

关于集成电路制造工艺介绍内容简介：
基本概念：
1、半导体器件-由半导体材料制成的分离器件和半导体集成电路。
2半导体分离器件-各种晶体三极管；各种晶体二极管；各种晶体可控硅。
3、半导体集成电路-以半导体（硅）单晶为基片，以外延平面工艺为基础工艺，将构成电路的各元器件制作于同一基片上，布线连接构成的功能电路。
4、晶体三极管的电学参数-指放大倍数、结的击穿电压、管子的工作电压、工作频率、工作功率、噪声系数等。
5晶体三极管的结构参数-包括所用材料、电性区各层结构参数、器件芯片尺寸、外延层结构参数和工艺片厚度等。
6硅平面工艺-指由热氧化工艺、光刻工艺和扩散工艺为基础工艺构成的近平面加工工艺。
7硅外延平面工艺-外延工艺+硅平面工艺构成的器件制造工艺。
基本要求：要求学生了解本课程的性质，知道学好集成电路制造工艺原理对学习专业课的重要性。掌握半导体器件制造技术中所涉及的四部分内容。了解工艺设计所涉及的三部分内容中工艺参数设计所包含的具体内容；工艺流程设计包含的具体内容；工艺条件设计包含的具体内内容。了解工艺制造涉及的具体内容，知道工艺线流程与各工序操作流程的区别是什么。了解半导体器件制造的工艺分析所涉及的四个分析内容，知道进行原始材料分析、外延片质量分析、各工序片子参数分析、工艺条件分析的指导意义；能够对应器件的不合格性能参数，通过上述四项分析进行工艺改进，从而得到合格性能参数。知道半导体器件制造的质量控制须做哪些工作，能清楚知道通过质量控制，器件生产厂家可提高经济效益、可提高自身产品的竞争能力、可提高产品的信誉度的原因。知道什么是工艺改革和新工艺的应用？什么是环境条件改革和工艺条件优化？为什么要注重情报和及时调整产品结构？什么是工业化大生产？清楚这些问题为什么会成为半导体器件制造中的关键问题？了解半导体器件制造有冗长的工艺流程，分离器件制造工艺至少有十几步的工艺流程，集成电路制造工艺至少有二十几步的制造工艺流程。知道集成电路制造比分离器件制造多出了隔离制作和埋层制作两大部分，知道制作隔离区的目的何在？制作埋层区的目的何在？清楚隔离制作有哪几步工艺构成？知道隔离氧化、隔离光刻和隔离扩散工艺各自达到什目的；清楚埋层制作有哪几步工艺构成？知道埋层氧化、埋层光刻和埋层扩散工艺各自达到什目的。

..............................