电子元器件抗ESD技术(doc 34页)

引  言
第1 章  电子元器件抗ESD损伤的基础知识
第2章 制造过程的防静电损伤技术
第3章“抗静电检测及分析技术”
第4章“电子元器件抗ESD设计技术”，

 

引  言
随着电子元器件技术的发展，静电对元器件应用造成的危害越来越明显。 
一方面，电子元器件不断向轻、薄、短、小、高密度、多功能等方向发展，因而元器件的尺寸越来越小，尤其是微电子器件，COMS IC中亚微米栅已进入实用化，栅条宽度达到0.18um，栅氧厚度为几个nm或几十个Å，栅氧的击穿电压小于20V。尺寸的减小，就使电子元器件对静电变得更加敏感。而大量新发展起来的特种器件如GaAs 单片集成电路（MMIC）、新型的纳米器件以及高频声表面波器件（SAW）等多数也都是静电敏感元器件；另一方面，在电子元器件制造和应用环境中，作为静电主要来源的各种高分子材料被广泛采用，使得静电的产生更加容易和广泛。因此，必须应用各种抗静电放电损伤的技术，使静电对电子元器件的危害减小到最低的程度。
编写本讲义的主要目的是对电子元器件制造和应用行业的有关技术和管理人员进行“电子元器件抗静电放电损伤技术”的基础培训。

..............................