微电子工艺-工艺集成与封装测试(ppt 104页)

主要内容
第五单元 工艺集成与封装测试
第12章 工艺集成
12.1 金属化与多层互连
12.1.1 欧姆接触
12.1.2 布线技术
1、电迁移现象
2、稳定性
3、金属布线的工艺特性
4、合金工艺
12.1.3 多层互连
12.1.4 铜多层互连系统工艺流程
12.2 CMOS集成电路工艺
12.2.1 隔离工艺
12.2.2 阱工艺结构
12.2.3 薄栅氧化技术
12.2.4 非均匀沟道掺杂
12.2.5 栅电极材料与难溶金属硅化物自对准工艺
12.2.6 源/漏技术与浅结形成
12.2.7 CMOS电路工艺流程
12.3 双极型集成电路工艺
12.3.1 隔离工艺
12.3.2 双极型集成电路工艺流程
12.3.3 多晶硅在双极型电路中的应用
本章重点
第13章 工艺监控
13.1 概述
13.2 实时监控
13.3 工艺检测片
13.3.1 晶片检测
13.3.2 氧化层检测
13.3.3 光刻工艺检测
13.3.4 扩散层检测
13.3.5 离子注入层检测
13.3.6 外延层检测
13.4 集成结构测试图形
13.4.1 微电子测试图形的功能与配置
13.4.2 几种常用的测试图形
13.4.3 微电子测试图形实例
第14章 封装与测试
14.1 芯片封装技术
14.1.1 封装的作用和地位
14.1.2 封装类型
14.1.3 几种典型封装技术
14.1.4 未来封装技术展望
14.2 集成电路测试技术
14.2.1 简介
14.2.2 数字电路测试方法
14.2.3 数字电路失效模型
14.2.4 IDDQ--准静态电流测试分析法
14.2.5 模拟电路及数模混合电路测试
14.2.6 未来测试技术展望

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