现代CMOS工艺基本流程培训课程(ppt 80页)

主要内容
现代CMOS工艺基本流程
选择衬底
热氧化
Si3N4淀积
光刻胶成形
Si3N4和SiO2刻蚀
隔离浅槽刻蚀
除去光刻胶
SiO2淀积
化学机械抛光
除去Si3N4
平面视图
光刻胶成形
磷离子注入
除去光刻胶
光刻胶成形
硼离子注入
除去光刻胶
退火
平面视图
牺牲氧化层生长
除去牺牲氧化层
栅氧化层生长
多晶硅淀积
光刻胶成形
多晶硅刻蚀
除去光刻胶
平面视图
多晶硅氧化
光刻胶成形
NMOS管衔接注入
除去光刻胶
光刻胶成形
PMOS管衔接注入
除去光刻胶
Si3N4淀积
Si3N4刻蚀
光刻胶成形
NMOS管源/漏注入
除去光刻胶
光刻胶成形
PMOS管源/漏注入
除去光刻胶和退火
平面视图
除去表面氧化物
Ti淀积
TiSi2形成
Ti刻蚀
BPSG淀积
BPSG抛光
光刻胶成形
接触孔刻蚀
除去光刻胶
TiN淀积
钨淀积
钨抛光
平面视图
Metal1淀积
光刻胶成形
Metal1刻蚀
除去光刻胶
平面视图
IMD淀积
IMD抛光
光刻胶成形
通孔刻蚀
除去光刻胶
TiN和钨淀积
钨和TiN抛光
平面视图
Metal2淀积
光刻胶成形
Metal2刻蚀
除去光刻胶
平面视图
钝化层淀积
钝化层成形
平面视图
完成
略有不同的另一个工艺流程

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