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集成电路工艺技术教材(PPT 67页)

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工艺技术
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集成电路工艺技术教材(PPT 67页)内容简介

引言
离子注入的优点
目录
射程
LSS理论
LSS理论-核阻止本领和弹性碰撞
核阻止本领
LSS理论-电子阻止本领
两种能量损失示意图
常见硅中杂质的能量损失
磷砷锑投影射程
硼投影射程
SiO2中投影射程
光刻胶中投影射程
入射粒子在非晶靶中浓度分布
高斯分布
高斯分布特点和应用
双高斯分布
Pearson- IV分布
硼离子注入分布
横向分布
沟道效应 - 单晶靶中的射程分布
能量对沟道效应影响
剂量对沟道效应影响
取向对沟道效应影响
温度对沟道效应影响
离子注入损伤-过程
离子注入损伤
离子注入损伤-临界剂量
损伤的去除-退火
退火效应-硼
退火效应-硼,磷,砷比较
退火温度-和剂量的关系
快速热退火(RTA)
退火技术比较
离子注入机
离子注入机结构
离子源
注入材料形态选择
质量分析系统
加速聚焦系统
扫描系统
电扫描偏转
电扫描
离子注入的应用
离子注入的应用(SOI)
SOI  MOSFET
离子注入工艺模拟(SUPREM)
离子注入二维工艺模拟(ATHENA)
..............................

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