双极集成电路器件工艺课件(PPT 124页)

2.1双极型集成电路的制造工艺
2.2集成双极晶体管的寄生效应
第2章双极集成电路器件工艺
第一块平面工艺集成电路专利
2.1双极型集成电路的基本制造工艺
（1）典型PN结隔离工艺流程
（1）典型PN结隔离工艺流程（续1）
（1）典型PN结隔离工艺流程（续2）
（1）典型PN结隔离工艺流程（续3）
（1）典型PN结隔离工艺流程（续4）
（1）典型PN结隔离工艺流程（续5）
（1）典型PN结隔离工艺流程（续6）
（2）典型PN结隔离工艺光刻掩膜版汇总
（3）外延层电极的引出
（4）埋层的作用
集成NPN晶体管常用图形及特点（1）单基极条形
集成NPN晶体管常用图形及特点（2）双基极条形
集成NPN晶体管常用图形及特点（3）双基极双集电极形
集成NPN晶体管常用图形及特点（4）双射极双集电极形
集成NPN晶体管常用图形及特点（5）马蹄形
集成NPN晶体管常用图形及特点（6）梳状
电流分配与控制
提高NPN管β值的途径
双磷扩散结构
双硼扩散结构
超增益管的特点
AlGaAs/GaAs基异质结双极性晶体管
第3章MOS集成电路的元件形成及其寄生效应
3.1PMOS工艺早期的铝栅工艺
1970年前，标准的MOS工艺是铝栅P沟道。
铝栅PMOS工艺特点：
l铝栅，栅长为20m。
lN型衬底，p沟道。
l氧化层厚1500Å。
l电源电压为-12V。
l速度低，最小门延迟约为80100ns。
l集成度低，只能制作寄存器等中规模集成电路。
Al栅MOS工艺缺点
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