半导体制造工艺之离子注入原理课件(PPT 38页)
半导体制造工艺之离子注入原理课件(PPT 38页)内容简介
注入离子如何在体内静止?
核阻止本领与电子阻止本领-LSS理论
核阻止本领
电子阻止本领
总阻止本领(Total stopping power)
注入离子的浓度分布
注入离子的真实分布
注入掩蔽层——掩蔽层应该多厚?
离子注入的沟道效应
减少沟道效应的措施
典型离子注入参数
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核阻止本领与电子阻止本领-LSS理论
核阻止本领
电子阻止本领
总阻止本领(Total stopping power)
注入离子的浓度分布
注入离子的真实分布
注入掩蔽层——掩蔽层应该多厚?
离子注入的沟道效应
减少沟道效应的措施
典型离子注入参数
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