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集成电路制造技术教材(PPT 88页)

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工艺技术
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集成电路制造技术教材(PPT 88页)内容简介
 集成电路制造技术
1 引言
基本器件的两个发展阶段
什么是微电子工艺
微电子工业生产过程图
npn-Si双极型晶体管芯片工艺流程 ----硅外延平面工艺举例
2 微电子工艺发展历程
The First Transistor from Bell Labs
诞生
Jack Kilby’s First Integrated Circuit
仙童(Fairchild)半导体公司
发展
张忠谋:台湾半导体教父
戈登-摩尔提出摩尔定律
DROM集成度与工艺的进展
未来
3 微电子工艺特点及用途
超净环境
互连技术
工艺课程学习主要应用
4 本课程内容
教材与参考书
集成电路制造过程
硅片与晶片(chip)
集成电路
集成电路工艺
第一章:超大规模集成电路硅衬底加工技术
CZ Crystal Puller
Silicon Ingot Grown by CZ Method
单晶硅片
Basic Process Steps for Wafer Preparation
硅单晶的加工成型技术
硅片加工的目的
单晶锭外形整理
Wafer Identifying Flats
Wafer Notch and Laser Scribe
Ingot Diameter Grind
切片
Internal Diameter Saw
倒角
圆弧型倒角
倒角类型
磨片
研磨设备
研磨的操作
磨料
磨削液
硅单晶研磨片的清洗
硅片清洗的基本概念及理论
清洗原理
腐蚀
酸性腐蚀
酸性腐蚀的特性
碱性腐蚀
超大规模集成电路硅衬底的抛光技术
硅衬底的边缘抛光
IC中硅衬底表面抛光
CMP抛光的动力学过程
CMP Oxide Mechanism
Mechanism for Metal CMP
CMP Tool with Multiple Wafer Carriers
CMP抛光的机理
影响抛光速度及抛光片表面质量的因素
Schematic of Chemical Mechanical Planarization (CMP)
Double-Sided Wafer Polish
抛光液
精抛光工艺须解决的问题
抛光硅片表面质量
Wafer Measurements for Degree of Planarization
Wafer Deformation
CMP参数小结
CMP后清洗
硅片的清洗
当前硅圆片的典型规格
..............................