电镀工艺优化对铜金属层后孔洞缺陷的影响(DOC 40页)

1. 绪 论....1
1.1半导体互连工艺现状及趋势....2
1.2 从铝互连到铜互连....3
1.3 铝互连与铜互连的不同工艺流程....5
2 电镀铜工艺....6
2.1电镀铜工艺基本概念....6
2.2 电镀铜工艺机理....6
2.3 化学添加剂对电镀工艺的影响....8
2.4 铜金属的自退火效应....10
3.问题描述及实验目的....11
3.1铜孔洞缺陷导致产品可靠性降低....11
3.1.1铜互连中的电迁移及可靠性....12
3.1.2 铜孔洞缺陷于电迁移的关系....13
3.1.3 铜孔洞缺陷产生的几种机理....15
3.2 实验目的....16
3.3 实验材料和工具....16
3.3.1材料：....16
3.3.2设备和仪器：....16
3.4 实验内容....17
3.4.1.镀铜工艺不同的电镀时转速之间的对比实验....17
3.4.2．电镀后到化学机械研磨CMP之间等待时间对比实验....17
3.4.3.电镀后退火温度,时间等参数的调整的对比实验....18
4. 实验结果及分析讨论....19
4.1不同的电镀时转速实验结果分析....19
4.2 电镀后到化学机械研磨之间等待时间实验结果分析....23
4.3电镀后退火温度,时间调整的对比实验结果分析....24
4.4 工艺窗口选择确认....26
5 总结....27
参考文献....29
致 谢....1
攻读学位期间发表的学术论文目录....2

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