电力电子技术基础参考资料(doc 10页)

思考题与习题
1. 独立思考以下各小题，分别从“SCR、GTO、GTR、功率MOSEFT和IGBT”中选择合适的词填写在各小题的括号里。
（1）（     ）是半控器件，（     ）和（     ）是全控器件。
（2）（     ）和（     ）所需驱动电路的静态功耗接近于0。
（3）如果希望导通电流为15A时，器件主回路的导通压降小于220mV，则应选用（     ）作为主开关器件。
（4）除功率MOSFET外，（     ）的输入特性与功率MOSFET的输入特性类似。
（5）（     ）在导通电流为500A条件下，为了将它关断，它的控制极所需反向关断电流之峰值的绝对值需超过100A。
（6）（     ）的输入特性与双极型三极管的输入特性类似。
（7）如果希望制做一个升压型DC-DC变换电路，将450V直流电源升高为650V直流电源，最大输出电流为200A，斩波频率为15KHz，则应选用（     ）作为主开关器件。
（8）（     ）如果已经导通，在主回路电流大于10A条件下，即使控制信号变为负值，它也不能关断。

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