MOSFET的开关速度将决定未来POL电源的性能(pdf 11页)

与十年之前以单元密度和导通电阻作为器件设计的主要考虑因素相比，功率MOSFET技术在发展方向上正经历着一场重大的变革。如今，并在可以预见的未来，开关速度正在逐步成为负载点（POL）电源应用的决定性因素。对于工作电压为1V或以下且对时钟速度和电流需求更高的下一代微处理器而言，开关速度是满足其供电要求的关键因素。电源的性能将取决于功率MOSFET能否进行高效开关操作并提供所需的瞬态响应。自1999年至今，瞬态响应要求已经从20A/μs提高至325A/μs左右，预计将于2004年达到400A/μs。
为了对上述的电源要求有所了解，我们先来看一下以往的转换器设计。一直以来，用于给微处理器供电的POL DC-DC转换器也包括单相标准或同步降压型转换器。直到不久以前，这些类型的转换器仍然能够满足需要，因为微处理器的工作电流一般都维持在30A以下。然而，当今处理器的工作电流已经突破了30A，而且，电流需求仍在继续呈指数性增长。在这种情形下，单相降压转换器已不再能够对现今的处理器进行高效供电，原因是：
• 它们需要采用较高的电感值来最大限度地减小输出纹波电流。
• 增大电感值以减小纹波电流会使瞬态响应速度有所减缓。……
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